半导体器件数值模拟的特征有限元方法和分析

半导体器件的瞬时状态由三个方程的非线性偏微分方程组的初、边值问题决定,电子位势方程是椭圆型的,另二个关于电子和空穴浓度方程是抛物型的,我们提出特征有限元和特征混合元二类格式,并在相当一般的情况下得到了最佳阶的尽H^1误差估计。