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电力电子市场预测

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摘要新型电力半导体器件-绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种集高频率、高电压、大电流于一身的新一代理想的电力半导体器件，是电力电子技术的第三次革命的代表产品，填补国内电力电子空白的产品。

出处《变频器世界》 2005年第1期70-70,共1页 The World of Inverters

关键词电力半导体器件电力电子技术绝缘栅双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管市场预测

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]

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变频器世界

2005年第1期

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