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飞兆推出80VN沟道MOSFET器件

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摘要 飞兆半导体公司日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。
出处 《电源技术应用》 2005年第2期i009-i009,共1页 Power Supply Technologles and Applications

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