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宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展 被引量:9

Development of Wide-Gap Zinc Oxide Semiconductor Thin Films
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摘要 氧化锌作为新一代化合物半导体,其禁带宽度对应紫外光的波长。氧化锌薄膜有望开发蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光器件,具有广阔的应用前景。重点介绍了氧化锌薄膜的研究进展以及存在的问题,井对氧化锌薄膜的末来进行了展望。 As a new generation of compound semiconductor, zinc oxide has widegap. Zinc oxide thin film is a promising candidate for light emission devices for blue, blue-green, and UV regions. This paper presents the research progress, the existing problems and the prospects of zinc oxide functional thin films.
出处 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2005年第2期41-44,37,共5页 Laser & Optoelectronics Progress
  • 相关文献

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共引文献11

同被引文献126

引证文献9

二级引证文献20

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