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紫外半导体电致发光器件研究进展 被引量：3

Progress of UV Semiconductor Electroluminescence Devices
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摘要 概述了紫外半导体电致发光器件的发展历史、现状、趋势及其应用,详述了国内外近两年对 AlGaN 基半导体电致发光器件的研究进展。 In this article,the development and important applications of secomductor EL devices are briefly introduced,and the progress in improving AlGaN-based LED performance in last two years are discussed in detail.
作者 岑继文 何明兴 李新军 王良焱
机构地区 中国科学院广州能源所 中国科学院研究生院 攀钢集团攀枝花钢铁研究院
出处 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期90-92,96,共4页 Materials Reports
基金 广东省自然科学基金(32708)
关键词 电致发光器件 半导体 紫外 研究进展 现状 国内外 AlGaN semiconductor EL device UV light emitting diodes
分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TN383 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献19

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同被引文献28

引证文献3

二级引证文献18

材料导报
2005年 第1期

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