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热解CVD法生长金刚石薄膜 被引量:2

The Growth of Diamond Thin Films by Thermal CVD
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摘要 本文以有机低分子化合物和氢气为反应气体,用热解 CVD 法生长出金刚石多晶薄膜。用喇曼散射、X 射线衍射、反射高能电子衍射和电子显微镜等方法进行了结构表征。论述了碳源浓度、热丝温度、基片温度和预处理工艺对金刚石薄膜结构和性能的影响。 Diamond thin films(DTF)were prepared by thermal chemicalvapor deposition(thermal CVD),using gasous organic compounds andhydrogen as the reaction gas.The structure of the film was characterized byRaman scattering,X-ray diffraction,reflection high energy electron diffractionand scanning electron microscopy.The influences of carbon concentrations,filament temperatures,substrate temperatures and pre-treatments on theproperties and structure of the film are discussed.
机构地区 上海交通大学
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1989年第4期305-310,共6页 Journal of Synthetic Crystals
基金 国家高科技 上海市自然科学基金
关键词 金刚石 薄膜 化学气相沉积 diamond thin film chemical vapor deposition Raman spectrum X-ray diffraction
  • 相关文献

同被引文献1

  • 1参加第十届金属表面技术国际会议及考察日本电镀技术情况汇报(二)[J]材料保护,1981(05).

引证文献2

二级引证文献1

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