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掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备

Properties and Preparation of the Er-Doped Al_2O_3 Films
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摘要 简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。 This article introduces some methods for preparing Al_2O_3 films.The Er-doped Al_2O_3 films were prepared by mid-frequency unbalance dual magnetron sputtering and their properties were measured. The results indicated that the films suit to be used as optical amplifier materials.
作者 黄开玉 李国卿 柳翠 高景生 宋琦 王丽阁
机构地区 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 大连理工大学物理系
出处 《真空电子技术》 2004年第6期11-14,18,共5页 Vacuum Electronics
基金 国家863项目(2001AA338010)
关键词 掺铒 AL2O3薄膜 光致发光 中频 磁控溅射 Er-doped Al_2O_3 films PL Mid-frequency Magnetic spattering
分类号 O484 [理学—固体物理]
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共引文献29

真空电子技术
2004年 第6期

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