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电容压力微传感器数值分析 被引量:1

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摘要 用伪谱算法对电容压力微传感器极板膜在均匀载荷条件下的弯曲行为作了数值模拟, 叙述了伪谱算法原理, 并将其用于微传感器的载荷与电容关系分析. 对于非接触式电容压力微传感器, 只有在小载荷(引起的最大垂向位移甚小于极板膜厚度)的条件下, 才可以忽略作用于极板膜的中平面的张力, 此时, 微传感器的电容与载荷之间呈线性关系. 当进一步增加载荷时, 两者的关系呈非线性, 电容随载荷的增大迅速增加. 对于接触式电容压力微传感器, 给出了接触半径的计算公式, 数值计算了载荷与电容关系曲线, 为压力微传感器分析和设计提供了理论依据.
出处 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2005年第1期74-84,共11页 Science in China(Series E)
基金 国家自然科学基金重大研究计划重点项目(批准号: 90207003)
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Meng G Q, Ko W H. Modeling of circular diaphragm and spreadsheet solution programming for touch mode capacitive sensors. Sensors and Actuators, 1999, 75:45-52.
  • 2Wang Q, Ko W H. Modeling of touch mode capacitive sensors and diaphragm. Sensors and Actuators, 1999,75:230-241.
  • 3Fornberg B. A Practical Guide to Psuedo-Spectral Method. New York: Cambridge University Press, 1996.2-120.
  • 4Timoshenko S, Woinowsky-Krieger S. Theory of Plates and Shells. New York: McGraw-Hill Book Company INC, 1959.4,424.

同被引文献4

  • 1KO W H, WANGL Q. Touch mode capacitive pressure sensors[J].Sensors and Actuators A,1999 , 75: 242-251.
  • 2ZUBEL I, BARYCKA I. Silicon anisotropic etching in alkaline solutions I: the geometric description of figures developed under etching Si(100) in various solutions[J].Sensors and Actuators A, 1998, 70:250-259.
  • 3SCHMIDT M A. Wafer-to-wafer bonding for microstructure fomation[J].Proc IEEE, 1998, 86: 1575-1585.
  • 4SENTURIA S D. Microsystem design[M].American: Kluwer Academic Publishers, 2003 : 46-47.

引证文献1

二级引证文献4

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