0.1μmSOI槽栅CMOS特性仿真

Characteristic Simulation of 0.1 μm SOI Groove Gate CMOS Devices

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作者邵红旭韩郑生孙宝刚

机构地区中国科学院微电子研究所

出处《电子工业专用设备》 2005年第1期20-24,共5页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词 SOI槽栅CMOS 短沟道效应热载流子效应栅极漏电

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电子工业专用设备

2005年第1期

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