Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述

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摘要本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。

作者高嵩黄和鸾陈国栋李威

机构地区辽宁大学电子科学与工程系机械电子工业部东北微电子研究所

出处《微处理机》 1993年第1期1-5,共5页 Microprocessors

关键词异质结双极晶体管 Si1-xGex合金

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微处理机

1993年第1期

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