半导体集成电路微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理
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1张步新.发光二极管光电特性的在线测试[J].电子测量技术,1998,21(2):38-40.
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2李思渊,耿辖.静电感应晶体管（SIT）电参数的分析与调节[J].电力电子技术,1989(4):44-49. 被引量：1
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3李思.常用光电耦合器电路图与电参数[J].家电检修技术,2004(2):61-61.
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4徐涛.部分进口贴面带阻晶体管的电参数及内部电路[J].家电检修技术,2001(8):43-44.
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5郑继义.高压大功率开关晶体管少子寿命与诸电参数之间的关系及其控制技术的研究[J].半导体技术,1992,8(1):28-33. 被引量：1
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6陈思思.信号完整性中的串扰分析[J].武汉理工大学学报（信息与管理工程版）,2005,27(5):17-20. 被引量：11
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7郝晓波.高压VDMOS的设计[J].数字技术与应用,2010,28(8):101-102.
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8王庚.75伏功率Trench MOSFET设计[J].辽宁大学学报（自然科学版）,2010,37(4):347-350.
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9徐爱华.氧化物墙隔离E、B、C的双极高速晶体管制造工艺[J].微电子技术,1995,23(1):29-33.
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10范立青.DC／DC变换器的设计[J].电子元器件应用,2005,7(2):24-26. 被引量：4
