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Si/SiGe异质结及其器件
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职称材料
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作者
谢孟贤
陈勇
出处
《微电子技术》
1993年第1期7-18,共12页
Microelectronic Technology
关键词
化合物半导体
半导体器件
异质结
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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1
晓晔.
极高电子迁移率Si/SiGe调制掺杂异质结[J]
.电子材料快报,1995(7):8-9.
2
Kesan,VP,顾聚兴.
适合长波应用的Si/SiGe多量子阱集成波导光电探测器[J]
.红外,1993(9):7-12.
微电子技术
1993年 第1期
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