无鸟嘴高压氧化技术
出处
《微电子技术》
1993年第2期26-31,共6页
Microelectronic Technology
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1张爱珍.硅的高压氧化[J].半导体技术,1989,5(3):47-51.
-
2徐爱华,唐爱球.硅的高压氧化[J].江南半导体通讯,1992,20(2):15-17.
-
3E.Bussman,沈建波.高压氧化技术在nMOS工艺中的应用[J].微电子技术,1995,23(6):18-23.
-
4李祥.硅槽刻蚀工艺研究[J].微电子技术,1995,23(1):20-28.
-
5徐丽娟,倪晓昌,何瑾,种浩.垂直硅槽光波导的群速度色散[J].天津职业技术师范大学学报,2014,24(3):16-19.
-
6Yeou-Chong,Simon Yu,胡永清.无鸟嘴器件隔离新技术[J].微电子学,1989,19(3):55-58.
-
7郑宜钧,王明善,贾永华,洪海燕.一种新的深硅槽工艺技术[J].半导体技术,2001,26(3):56-58.
-
8李祥.深硅槽开挖工艺[J].微电子学,1993,23(2):39-43. 被引量：1
-
9戚盛勇,金晓冬.MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究[J].Journal of Semiconductors,1996,17(12):902-906. 被引量：2
-
10王清平,苏韧.硅槽刻蚀技术中的源气体选择[J].微电子学,1994,24(6):65-68. 被引量：2
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