H2/O2燃烧掺HCl氧化技术
出处
《微电子技术》
1993年第2期54-59,共6页
Microelectronic Technology
-
1邹盛琳.半导体器件的制作方法[J].永光半导体,1994(9):55-56.
-
2许春芳,范焕章,何弈骅,王刚宁,翁丽敏.PETEOS氧化硅膜的成分与电荷特性[J].华东师范大学学报(自然科学版),1996(3):59-62.
-
3欧海燕,杨沁清,雷红兵,王红杰,余金中,王启明,胡雄伟.用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J].Journal of Semiconductors,2000,21(3):260-263. 被引量:8
-
4袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华.磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er^(3+) 1.54μm光致发光[J].物理学报,2001,50(12):2487-2491. 被引量:17
-
5InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法[J].表面技术,2006,35(5):36-36.
-
6张抚安.世界上最小的“量子箱”[J].科学画报,1992,0(12):18-18.
-
7王亮,朱美芳,郑怀德,侯延冰,刘丰珍.铕离子注入氧化硅膜光发射的研究[J].Journal of Semiconductors,1999,20(10):841-845. 被引量:1
-
8V.K.Dwivedi,苏韧.亚微米ULSI无鸟喙封闭界面局部氧化技术[J].微电子学,1991,21(3):51-53.
-
9黄静,郭霞,渠红伟,廉鹏,董立闽,朱文军,杜金玉,邹德恕,沈光地.Al_xGa_(1-x)As选择性湿法氧化技术的研究[J].红外与激光工程,2003,32(6):647-650. 被引量:4
-
10E.Bussman,沈建波.高压氧化技术在nMOS工艺中的应用[J].微电子技术,1995,23(6):18-23.
;