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Si/Si_(1-x)Ge_x异质结器件

Si/Si1-xGex Heterojunction Bipolar Transistors
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摘要 本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。 An overview of the worldwide development of Si/Si1-xGex heterojunotion bipolar transistors (HBT's)is made ia the paper. The property and superiority of the device are described. The manufacturing technologies and equipments for Si/Si1-xGex HBT's are examined, and the application prospects are viewed.
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第2期27-32,共6页 Microelectronics
关键词 HBT 双极晶体管 异质结器件 SI-GE HBT, Si1-xGex, High frequency
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