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超低功耗硅双模预置ECL高速分频器的研究

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摘要本文介绍了超低功耗硅双模预置ECL高速分频器的设计和工艺技术。采用0.6μm设计规则和多晶硅发射极-基极自对准双极技术,设计制作的双模(÷64/65,÷128/129)预置分频器,在3mW(电源电压为3V)的极低功耗下,工作频率在1000MHz以上。

作者万天才

出处《微电子学》 CAS CSCD 1993年第5期23-26,共4页 Microelectronics

关键词分频器预置分频器功率损耗

分类号 TN772 [电子电信—电路与系统]

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微电子学

1993年第5期

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