摘要
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。
The strained InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) for 980 nm LD were grown by MOCVD. The effects of growth temperature and growth rate of InGaAs/GaAs QWs were investigated. We applied the optimized growth condition to 980 high power LD growth. Without coating, an optical power output of 100 mW, Ith of 19 mA, differential efficiency of 0.6 W/A were obtained.
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期81-84,共4页
Chinese Journal of Quantum Electronics
基金
国家973基金资助项目(G20000683-02)国家863计划资助项目(2002AA312070)北京市自然科学基金(4032007)
关键词
光电子学
半导体激光器
应变量子阱
金属有机化学气相淀积
optoelectronics
semiconductor lasers
strain quantum wells
metallorganic chemical vapor deposition
