摘要
CZ 硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650￣700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值。
CZ Si crystal radiated by neutron will produce radiating effect, it will make a certain offset of resistivity compare with the original data, but it can be recovered to the original data by hot treatment in N at 650￣700℃.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期48-49,共2页
Semiconductor Technology
关键词
硅单晶
电阻率
辐照
缺陷
热处理
Si crystal
irradiation
resistivity
effect
hot treatment
