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半导体硅材料的发展
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摘要
在查阅大量文献的基础上,首次对半导体硅材料的发展过程进行了系统的总结,并将其划分为认识、工业化和高完整性发展的三个阶段.以半导体硅材料的技术发展为主线,论述了三个发展时期的特点,阐明了与之相关的军事、工业和科技背景,探讨了半导体硅材料发展中的技术及其实现条件。
作者
王凯民
韩汝玢
机构地区
陕西应用物理化学研究所
北京科技大学
出处
《物理》
CAS
北大核心
1993年第2期97-103,共7页
Physics
关键词
半导体材料
硅
发展
分类号
TN304.0 [电子电信—物理电子学]
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