期刊文献+

LM3475:降压控制器

下载PDF
导出
摘要 美国国家半导体公司推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器LM3475。LM3475采用小巧的SOT23-5封装,设有可以简精系统设计的迟滞控制电路,无需为系统提供外部补偿,多种不同的元件都可稳定操作,而系统则可以作出快速瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也可支持高效率操作。P场效应晶体管结构的优点是可以降低所需元件的数目,将占空度提高至100%,操作时只产生较低压降。
出处 《世界电子元器件》 2005年第1期36-36,共1页 Global Electronics China
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部