FDS3572：N-MOSFET

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摘要飞兆半导体公司日前推出具有组合性能优势的SO-8封装的80V N沟道MOSFET FDS3572，它能在DC／DC转换器初级边和同步整流开关电源次级边设计中提供良好的系统整体效率。FDS3572的米勒电荷(Qgd)为7．5nnC，比有相似Rds(on)额定数值的产品要低38％。该器件的低米勒电荷和低导通电阻Rds(on)(16mΩ)降低了噪音(FOM=Rds(on)×Qgd)。

出处《世界电子元器件》 2005年第1期42-42,共1页 Global Electronics China

关键词 N-MOSFET SO-8封装开关电源 N沟道飞兆半导体公司低导通电阻 FOM 体效率 FDS 产品

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] F406.2 [经济管理—产业经济]

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