在SiC晶须表面化学气相沉积BN薄膜的研究

采用化学气相沉积(CVD)法在 SiC 晶须表面沉积 BN 薄膜。实验使用 NH_3-BCl_3-H_2 混合气体,总压力为1.013×10~5Pa,得出最佳沉积条件为1250℃、1h,气相组份流量分别为 D_(NH_3)=0.06dm^3/min、D_(?Cl_3)=0.01dm^3/min、D_(?)=0.02dm^3/min。电子探针确定沉积层厚度约为10nm。结果表明,BN 沉积速度随温度及气相组份流量的提高而增大。在1000℃以下动力学控制占优势,表观活化能为150kJ/mol,1250°以上则扩散控制占优势,表观活化能为10kJ/mol。