MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe和过渡层研究

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摘要用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电学性质与 CdTe 过渡层厚度有一定关系,其红外透过率大于70%。

作者丁永庆彭瑞伍陈记安杨臣华陈美霓

机构地区中国科学院上海冶金研究所华北光电研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期123-127,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 MOCVD法砷化镓 HGCDTE 过渡层

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稀有金属

1993年第2期

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