Ga_xIn_(1-x)Sb红外材料的MOCVD法生长特性研究

用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5<x<0.96)三元合金,研究了生长温度、反应室中气相组分 x(?)、气相 Ⅲ/Ⅴ 比对 GaInSb 固相组分 x 的影响。结果表明。GaInSb 合金固相组分随生长温度的变化是由气相中 TMGa 的热解率随生长温度的变化决定的,非掺 GaInSb 外延层为 p 型,霍尔迁移率为377cm^2/V.s,相应载流子浓度为5×10^(16)cm^(-3)