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MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物用新前体
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摘要
综述了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 MOCVD 技术中新前体的发展近况,讨论了发展新前体的动力及当前达到的水平和问题,分析了分子结构与前体热稳定性、化学稳定性、熔点及蒸汽压之间的关系。
作者
陆大成
机构地区
中国科学院半导体材料物理开放实验室
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期301-308,共8页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
Ⅲ-Ⅴ族
Ⅱ-Ⅵ族
化合物半导体
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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被引量：1
稀有金属
1993年 第4期
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