水平磁场中 GaSb 单晶的生长被引量：1

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摘要 GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。

作者邓志杰郑安生武希康屠海令

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期467-469,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

基金国家"863"高科技项目

关键词单晶 GASB 磁场生长

参考文献1

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稀有金属

1993年第6期

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