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GaAs/AlAs超晶格低温光伏特性

The Photovoltaic Properties of GaAs/AlAs Superlattices at Low Temperatures
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摘要 在18~300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。 The photovoltage spectra of GaAs/AlAs superlattices have been measured at different temperatures ranging from 18 K to 300 K. The levels of the subbands in the potential well are calculated by using the new formalism of Kronig-Penney modes. The observed intrinsic exciton peaks are identified according to the calculated results. At low temperatures, the photovoltage spectra reflect the steplike distribution of two-dimensional state density of superlattice.
出处 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期39-44,共6页 Journal of Xiamen University:Natural Science
基金 半导体超晶格国家重点实验室项目
关键词 超晶格 光伏谱 状态密度 Superlattice, Photovoltage spectrum, State density
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参考文献3

二级参考文献1

  • 1刘士毅,厦门大学学报,1965年,12卷,51页

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