GaAs/Al_x Ga_(1-x)As量子阱的电子结构

ELECTRON STRUCTURE OF GaAs/Al_xGa_(1-x)As QUANTUM WELL

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摘要分子束外延(MBE)目前已能用于制备具有各种势模型的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱(QW)。不少学者已对量子阱的激子谱实验数据作过理论探讨,Dawson等人在其分析中曾计及垒区及阱区不同的有效质量及非抛物性,并把能带不连续量Qe=△Ec/△Eg(band offset)作为自由参量处理。

作者徐凤萍杨军

机构地区山东广播电视大学青岛半导体研究所

出处《山东工业大学学报》 1989年第3期89-92,97,共5页

关键词量子阱材料电子结构

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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