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非晶态半导体的费米能级
FERMI ENERGY LEVEL OF AMORPHOUS SEMICONDUCTORS
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摘要
1 引言非晶态半导体按性质可分为两大类。一类是由四族和五族元素构成的非晶态半导体。它们具有N型温差电动势率,低温下出现变程跳跃,存有电子顺磁共振信号,通过改变缺陷的电子密度可使费米能级移动。与此相反,硫系玻璃通常具有P型温差电动势率,低温下不出现变程跳跃,也没有电子顺磁共振信号,其费米能级随缺陷的电子密度不发生显著变化。为了说明这种现象。
作者
成万英
机构地区
山东工业大学基础课教学部
出处
《山东工业大学学报》
1989年第4期87-91,共5页
关键词
非晶态半导体
费米能级
分类号
TN304.8 [电子电信—物理电子学]
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山东工业大学学报
1989年 第4期
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