TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平
摘要
TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底A1GaN／GaN HEMT。
出处
《电子元器件应用》
2005年第2期34-34,共1页
Electronic Component & Device Applications
二级参考文献8
-
1D E Hirst, P E Hopkins. Comprehensive Income Reporting and Analysts'Valuation Judgments [ J ]. Journal of Accounting Research, 1998, (36).
-
2R J Bloomfield. The " Incomplete Revelation Hypothesis" and Financial Reporting [ J ]. Accounting Horizon,2002, (3).
-
3R J Bloomfield. The Independence of Reporting Discretion and Information Efficiency in Laboratory Markets[J]. The Accounting Review, 1996, (4).
-
4V L Bernard, J Thomas. Evidence that Stock Prices do not Fully Reflect the Implications of Current Earnings for Future Earnings [ J ]. Journal of Accounting and Economics , 1990, (4).
-
5J Aharnoy, C J Lee, T J Wong. Financial Packaging of IPO Firms in China [ J ]. Journal of Accounting Research, 2000, (38).
-
6吴联生.投资者对上市公司会计信息需求的调查分析[J].经济研究,2000,35(4):41-48. 被引量：175
-
7黄志忠,陈龙.中国上市公司盈利成长规律实证分析[J].经济研究,2000,35(12):11-19. 被引量：34
-
8陆正飞,刘桂进.中国公众投资者信息需求之探索性研究[J].经济研究,2002,37(4):36-43. 被引量：103
共引文献12
-
1沈伯平.信息不完全、信息不对称与资本市场规制[J].上海经济研究,2005,17(11):81-85. 被引量：6
-
2龚晓婷.从投资者保护角度看SEC对证券业的监管[J].特区经济,2006(3):139-140.
-
3张福康.论财务会计信息的有限性[J].山西财政税务专科学校学报,2006,8(1):38-42.
-
4钟娟,李常青.“管理层讨论与分析”信息的法律责任[J].财会月刊,2006(11):55-56. 被引量：3
-
5陈晖,岑雅衍.我国债券市场监管中的利益冲突分析[J].湖南师范大学社会科学学报,2009,38(4):79-82. 被引量：13
-
6徐星美,李晏墅.金字塔结构和权益资本成本:理论分析与经验证据[J].财贸经济,2010,31(5):20-25. 被引量：4
-
7谢获宝,刘波罗.综合收益列报:历史变迁及其理论分析[J].财会通讯（下）,2010(6):3-7. 被引量：9
-
8梁爽.综合收益列报模式及其影响因素剖析[J].东北财经大学学报,2011,12(6):9-13. 被引量：4
-
9李泽东.证券监管视野下的《证券法》完善之反思[J].黑龙江省政法管理干部学院学报,2012(4):84-87.
-
10高晨.国外“管理层讨论与分析”信息披露规则分析与借鉴[J].财会通讯（上）,2019(6):115-119.
-
1刘广荣.TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平[J].半导体信息,2005,0(3):34-34.
-
2陈裕权.三垦公司宣布造出首只GaN/Si倒相器[J].半导体信息,2009(3).
-
3邓志杰.“第5届欧洲SiC及相关材料会议”——重点讨论衬底和外延生长[J].现代材料动态,2005(6):4-6.
-
4苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破[J].人工晶体学报,2012,41(3):567-567.
-
5陈裕权.STMicroelectronics制造出GaN/Si(001)HEMT[J].半导体信息,2006,0(4):29-29.
-
6陈裕权.TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录功率水平[J].半导体信息,2004,0(6):28-29.
-
7赵少云,韦文生.GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟[J].材料导报,2016,30(8):143-148. 被引量：1
-
8邓志杰（摘译）.英国在GaN／Si LED方面取得突破[J].现代材料动态,2010(2):2-3.
-
9Marktech Optoelectronics绿色LED[J].电子产品世界,2004,11(11B):45-45.
-
10陈裕权.中国大陆开发出第一支近UV激光二极管[J].半导体信息,2005,0(5):5-6.
