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近晶液晶相变的突变模型
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摘要
本文描述在近晶型液晶中SmA—SmC相变过程的突变模型。用Landau自由能表示体系的势函数F、F变量有序参数P、温度T和磁场强度H,用这些变量建立三维相空间的突变模型,得到二个稳定区和一个亚稳区的相空间,当H取为常数,得到三维相变即SmA—SmC的二级相变,其结果与C.C.Huang等人研究结果一致。在三维相空间中不同相变途径得到连续变化、弱连续变化或尖点突变的不连续变化。利用突变模型可以预测体系的状态变化,本文结果对液晶相变本质的研究具有极其重大意义。
作者
裴东河
孙伟志
黄锡珉
机构地区
东北师范大学数学系
中国科学院长春物理研究所
出处
《液晶通讯》
1993年第1期23-26,共4页
关键词
液晶
相变
近晶型
突变模型
分类号
O753.2 [理学—晶体学]
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