碳纳米管制成的晶体管拥有高出25％的迁移率

美国马里兰大学的科学家制成了碳纳米管晶体管，其迁移率是硅晶体管的70倍。碳纳米管晶体管可以检出存贮器中的单个电子。碳纳米管的迁移率达100000cm^2／v．s，而锑化铟的迁移率是77000cm^2／v．s，硅的迁移率是1500cm^2／v．s。