雪崩注入型二次击穿的机理与设计
-
1蔡跃明,吕世骥.电子陷阱的雪崩注入测量方法[J].半导体技术,1989,5(6):32-34.
-
2章国豪.8毫米雪崩注入锁定放大器[J].固体电子学研究与进展,1993,13(4):362-366.
-
3石顺祥,万贤军.非线性光导开关输出脉冲延迟时间的研究[J].光学学报,1998,18(3):365-368. 被引量：3
-
4魏峰,吴郁,周新田,周东海,吴立成,贾云鹏,胡冬青,金锐,刘钺杨.功率快恢复二极管反偏ESD机理分析[J].半导体技术,2013,38(8):629-634. 被引量：2
-
5杨光有.研究电子陷阱特性的雪崩注入法[J].半导体技术,1989,5(6):44-46.
-
6屈静,吴郁,刘钺杨,贾云鹏,匡勇,李蕊,苏洪源.功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真[J].半导体技术,2015,40(1):24-28.
-
7谢夏云.双层硅外延片在大功率器件中的应用[J].半导体技术,1998,23(4):40-43. 被引量：5
-
8陈蒲生,章晓文,冯文修,张昊,曾绍鸿.雪崩热电子注入研究富氮SiO_xN_y纳米级薄膜的陷阱特性[J].固体电子学研究与进展,2000,20(2):216-222.
;
