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氖等电子序列2p^5(~2P)np系列的高激发态结构 被引量:1

THE HIGHLY-EXCITED STATE STRUCTURE OF 2p^5(~2P)np RYDBERG SERIES OF THE NEON ISOELECTRONIC SEQUENCE
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摘要 本文用本征通道量子亏损理论方法(EQDT)计算氖等电子序列2p^5(~2P)np系列的高激发态结构。以NeI为实例给出了具体的数值,其结果与实验符合得很好。 The basic structure parameters of 2p5(2P)np Rydberg series of the neon isoelectronic sequence are calculated by using the eigenchannel quantum-defect theory.As some numerical examples, the calculated results of NeI are given, in which our results are perfect aggreement with experiment.
出处 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期2696-2701,共6页 Journal of Atomic and Molecular Physics
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Wang Z W,1990年
  • 2Wang Z W,J Phys B,1988年,21卷,1315页
  • 3Wang Z W,Phys Rev A,1988年,37卷,2941页
  • 4Wang Z W,Phys Rev A,1985年,31卷,1515页
  • 5Wang Z W,Phys Rev A,1985年,31卷,1521页
  • 6Lu K T,Photophysics and photochemistry in the vacuum ultraviolet,1985年
  • 7Wang Z W,J Phys B

同被引文献6

引证文献1

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