IR新型HEXFET功率MOSFET推出
出处
《通信世界》
2001年第1期42-42,共1页
Communications World
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1张文涛,皓月兰.功率MOSFET器件栅电荷测试与分析[J].电子与封装,2016,16(6):21-23. 被引量：2
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2IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET[J].电子制作,2010,18(4):5-5.
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3HEXFET系列：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2010(8):43-43.
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4500V L系列HEXFET功率MOSFET[J].国外电子元器件,2003(3):79-79.
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5章从福.IR推出全新30V功率MOSFET[J].半导体信息,2003(2):26-26.
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6蒋苓利,罗萍,蒲奎,赵璐.低压大电流VDMOS器件栅电荷测量[J].实验科学与技术,2006,4(B12):49-51. 被引量：5
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7田飞飞,吴郁,胡冬青,刘钺杨.高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法[J].现代电子技术,2011,34(10):163-165.
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8IRFBxxxxPBF：沟道型HEXFET功率MOSFET[J].世界电子元器件,2009(2):50-50.
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9IR推出全新基准MOSFET，将封装电流额定值提升了60%[J].电源技术应用,2009,12(1):61-61.
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10IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值[J].电子与电脑,2009,9(1):61-61.
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