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GaAs膜内注入载流子感生的折射率相对变化谱及其对光开关特性的影响 被引量:1

Relative refractive index variation spectra of a GaAs film and its effect on optical switch characteristic
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摘要 实验测量了不掺杂GaAs膜内注入载流子感生的820~900nm波段反射率相对变化谱,从而得到对应的折射率相对变化谱,并分析其对光开关特性的影响。 The relative variation spectra of reflectivity induced by injected carrier in an undoped GaAs film at 820-900 nm rangs are measured experimentally. The relative variation spectrum of refractive index are also obtained using above results. The above results effect on optical switch characteristic are analyzed.
作者 王德煌
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期107-111,共5页 Chinese Journal of Lasers
关键词 GaAs膜 注入载流子 折射率 光开关 GaAs film, injection carrier, refractive index change, optical switch
  • 相关文献

参考文献5

  • 1王德煌,半导体学报,1991年,12卷,10期,506页
  • 2滕达,半导体学报,1990年,11卷,2期,210页
  • 3虞丽生,半导体异质结物理,1990年
  • 4王德煌,中国激光,1988年,15卷,12期,707页
  • 5黄昆,物理,1986年,15卷,6期,329页

同被引文献5

  • 1王德煌,中国激光,1995年,22卷,120页
  • 2王德煌,Thin Solid Films,1992年,209卷,211页
  • 3陈世兴,工程陶瓷,1989年
  • 4王德煌,J Electrochem Soc,1987年,87卷,2期,575页
  • 5团体著者,半导体器件工艺原理,1977年

引证文献1

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