摘要
GaAs薄膜材料生长技术的迅速发展和成熟及其广泛应用,该材料性质及其在外部电磁场等条件下的变化的广泛研究,促使以GaAs多层膜为结构的光电子元器件和集成光学元件以及相关的集成光电子技术和光计算技术等高科技研究和实用化的飞速进展,其中GaAs膜材料的光学性质,尤其是激光与GaAs膜的相互作用,影响其光学性质的研究是极其有用的。本文报道He-Ne激光辐照金属有机氧化物气相外延(MOVPE)技术生长的不掺杂GaAs膜,其光透射性质发生变化的实验研究结果。
The optical transmission spectra in He-Ne laser irradiated undoped GaAs film have been determined experimentally.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第11期870-872,共3页
Chinese Journal of Lasers
关键词
砷化镓薄膜
激光辐照
光透射谱
laser irradiation, GaAs film, optical transmission
