非致冷红外焦平面列阵
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1郑萌.频率合成器低温工作环路失锁的分析及解决方法[J].通信与广播电视,2015,0(1):32-35.
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2宁永成.集成电路低温特性的推断[J].电子产品可靠性与环境试验,2010,28(2):9-14.
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3程开富.混合式非致冷红外焦平面列阵发展状况[J].半导体光电,1996,17(3):212-217. 被引量:4
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4高国龙.红外成像应用[J].红外,2001(12):36-36.
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5高国龙.热红外探测器列阵的一种新的集成技术[J].红外,2002(5):39-39.
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6肖志雄,魏同立.低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟[J].电子学报,1998,26(2):44-48.
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7吴金,魏同立,于宗光.MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究[J].电子学报,1995,23(11):26-30.
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8郑康.宽低温STN-LCD加热装置的研制[J].电子器件,1998,21(4):228-232.
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9刘卫东,魏同立.MOSFET低温热载流子效应[J].东南大学学报(自然科学版),1994,24(2):15-21.
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10张万荣,李志国,罗晋生,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.应变p型Si_(1-x)Ge_x层中载流子冻析[J].电子学报,1998,26(11):51-54. 被引量:4
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