摘要
综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况 ,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性 ,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性 ,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料。
TheprogressofstudyonlowdielectricconstantSiOFfilmsinthepasttenyearswasreviewed .Inthecaseofchemicalbondingstructures ,thermalproperties ,moisturestabilityandrelativedielectricconstant ,thecharacteristicsofSiOFfilmswereintroducedindetails ,meanwhile ,otherpropertiessuchasstepcoverage ,fillinggapabilityandleakagecurrentwerealsointroducedsimply .ItwasconcludedthatSiOFfilmswerethemostpromisinglowdielectricconstantmaterialwhichwouldbeusedinULSIcircuit .
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期452-455,共4页
Journal of Functional Materials
基金
国家自然科学基金
