摘要
详细观察了长条形NiFe薄膜元件 (宽 12 0 μm ,厚40nm)沿难轴方向 (长方向 )磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明 ,在磁化过程中 ,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在 ;在反磁化过程中 ,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素 ,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源。
Inthispaper,wehavesystematicallyobservedthetransitionprocessofmagneticdomainstructuresduringmagnetizationandmag netizationreversalalonghard -axisdirection (longitudinaldirection )insmallNiFethinfilmstripewhichwidthandthicknessis 12 0 μmand 40nmrespectively .Itshowsthatduringmagnetizationprocess ,magnetizationrotationandirreversibledomainwalldisplacementarehappenedatthesametime ,duringmagnetizationreversalprocess ,thedomainwallemergence ,thetransitionofclosuredomainsandthetran sitionofdomainwallpolarityarethemainirreversiblefactorsandalsotheoriginofBarkhausennoise .
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期481-483,共3页
Journal of Functional Materials
关键词
磁性簿膜元件
磁化
反磁化
磁畴结构
magneticthinfilmstripe
magnetization
magnetizationreversal
magneticdomainstructure
