摘要
采用DV -Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce -YIG磁光薄膜的电子结构 ,在能态密度的基础上 ,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁。对Ce3 +的掺入 ,极大地增大了跃迁的振子强度 ;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋 -轨道相互作用的耦合轨道 ;Ce3 +的掺入产生了新的跃迁 ;它们是Ce
TheelectronicstructureofYIG ,Bi-YIGandCe -YIGfilmsarecalculatedusingtheDV -Xαmethod .Ithasbeenfoundthat theretwotypesofchargetransfertransitionwhicharethemainoriginofthemagneto -opticeffectonthebasisofthetotaldensityofenergy states.WiththedopingofCe3 +,theoscillatorstrengthsoftransitionsareincreasedgreatly ,andthecouplingorbitsamongCe5d,andCe4f andFe3dareformedwithlargespin -orbitinteraction ,andthenewtransitionsarecaused .Thesearethereasonwhythemagneto -opticef fectofCe -YIGisenhanced .
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期488-490,共3页
Journal of Functional Materials
基金
国家自然科学基金!资助项目 ( 570 2 0 0 6)
