GaAs IC逻辑门ECL直流及瞬态特性分析
被引量：2
同被引文献3
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1史常忻,王庆康,李晓明,李志奇,夏冠群,杨悦非,严萍.2千兆赫GaAs分频器设计[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):799-803. 被引量：1
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2史常忻，半导体学报，1987年，8卷，443页
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3史常忻，半导体学报，1987年，8卷，4期，443页
引证文献2
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1史常忻,王庆康,李晓明,李志奇,夏冠群,杨悦非,严萍.2千兆赫GaAs分频器设计[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):799-803. 被引量：1
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2王庆康,史常忻.GaAs IC逻辑单元与或非DCFL特性计算机示波器方式模拟及电路设计[J].Journal of Semiconductors,1992,13(6):367-371. 被引量：1
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1李垚,郑茳,沈克强,魏同立.低温ECL电路的瞬态特性分析[J].电子科学学刊,1996,18(5):537-543.
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2戢明.Protel 99 SE高校电路实验中的应用[J].长春工程学院学报（自然科学版）,2006,7(3):30-32.
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3王福林.PSPICE仿真软件在电路设计中的应用[J].声学与电子工程,2002(1):46-49. 被引量：2
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4柯导明,柯晓黎,冯耀兰,童勤义.高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析[J].电子科学学刊,1994,16(1):8-17. 被引量：1
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5尚永爽,刘勇,文天柱,费川.基于PSpice的开关电源瞬态特性及参数分析[J].现代电子技术,2011,34(10):139-141. 被引量：3
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6光电子技术[J].电子科技文摘,2003,0(12):18-18.
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7段鹏辉.零中频接收机系统级设计与仿真[J].空间电子技术,2015,12(2):41-44. 被引量：6
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8孙立伟,高勇,杨媛,刘静.双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析[J].Journal of Semiconductors,2008,29(8):1566-1569.
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9孙亚春,王庆康.金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析[J].光电子技术,2003,23(2):121-125. 被引量：3
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10王豪,贺国,明廷锋.船用超声液位传感器的压电陶瓷瞬态特性分析[J].机电工程,2011,28(11):1404-1408. 被引量：1
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