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IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

Brand-new IR MOSFET has fast intrinsic-barrier diode characteristics
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出处 《电子质量》 2003年第4期133-133,共1页 Electronics Quality
关键词 IR公司 零电压开关 本体二极管 开关式电源 SMPS 数据通信系统
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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电子质量
2003年 第4期

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