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十年来上海Ⅲ—Ⅴ族化合物的进展

Progress of Ⅲ-Ⅴ Group Compounds of Shanghai in Last Decade
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摘要 本文总结了十年来上海对Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的材料、特性应用和物理化学方面的研究与发展概况,并展望了其前景。 Research work and development affained in the Ⅲ-Ⅴ group compoundsof Shanghai in the last decade are reviewed with reference to materials pre-pared,application of their special characteristics and their physico-chemicalbehaviors.The prospects of Ⅲ-Ⅴ group compounds of Shanghai are heralded.
作者 彭瑞伍
出处 《上海金属(有色分册)》 1989年第6期31-34,共4页
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献3

  • 1黄善祥,固体电子学研究与进展,1987年,1期,65页
  • 2孟广耀,化学气相淀积与无机新材料,1984年
  • 3赵慕愚,应用化学,1983年,1期,40页

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