冠醚除钠的局限性

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摘要本文分析了冠醚分子在SiO_2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na^+沾污,对SiO_2层深处的Na^+并无作用.

作者吴应前

机构地区四川大学物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期37-38,共2页 Semiconductor Technology

关键词半导体器件清洗冠醚除钠 SIO2

参考文献2

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半导体技术

1993年第2期

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