二次离子质谱分析在半导体材料与器件工艺中的应用被引量：2

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摘要本文简要总结国家表面物理实验室五年以来,尤其是近年来用O_2源与Cs源二次离子质谱的半导体分析工作,介绍了Si和GaAs材料中O杂质与掺杂元素离子注入浓度分布、热处理后掺杂元素重新分布、辐照感生扩散增强效应、半导体超晶格和量子阱器件及δ掺杂的SIMS分析等四个典型的应用实例,说明了SIMS的重要性,同时提出了在应用SIMS数据时必须注意的几个问题.

作者王佑祥陈春华陈新

机构地区中国科学院半导体研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期46-50,45,共6页 Semiconductor Technology

关键词半导体材料半导体器件工艺质谱

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1993年第2期

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