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国外光刻制版设备发展动态被引量：1

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摘要主要述评了近两年来国外光刻制版设备的最新发展动态.新颖的扫描激光掩模制作设备正在迅速地向64M DRAM器件的制版领域渗透,i线片子步进机与移相掩模技术的结合将在0.35微米的64M DRAM时代占据优势,潜力巨大的准分子激光步进机与移相掩模的结合将使传统的光学光刻技术于1996年进入0.

作者童志义

机构地区电子部第四十五研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期59-64,F003,共7页 Semiconductor Technology

关键词光刻制版图形发生器集成电路

分类号 TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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半导体技术

1993年第3期

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