砷离子注入硅的快速热退火对晶格应力和PN结漏电流的影响

本文首次给出了用Senarmont法测出的As注入层应力和快速热退火后应力变化的实验结果。发现随As注入剂量的增加注入层应力迅速增大。而随退火时间的增加,这种应力明显下降。在相同剂量下注入,靶加热(300℃)注入层应力比室温注入层应力要小得多。电子显微镜观察表明,用很高剂量(>2×10^(16) cm^(-2))注入时,随退火时间的加长注入区出现高密度缺陷,且缺陷密度随退火时间的增加没有明显变化,而高密度缺陷的分布区域明显展宽。四探针测量表明,注入层电阻率随退火时间的增加而下降。当注入剂量为5×10^(15)和1×10^(16) cm^(-2)时,PN结漏电流随退火时间的增加而下降。而当注入剂量为5×10^(16) cm^(-2)时,PN结漏电流随退火时间的增加反而增大。