850V／18A、1200V／8A　IGBT研制

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摘要简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ、１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。

作者袁寿财王晓宝刘欣荣

机构地区西安电力电子技术研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期47-49,51,共4页 Semiconductor Technology

关键词 IGBT 元胞 MOS型功率开关器件

参考文献1

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半导体技术

1994年第5期

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