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特种高压硅堆的结构设计
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摘要
本文从特种高压硅堆的内部结构、外形整体结构的设计以及在检测应用中应注意的问题进行了阐述，并就应用领域方面提出了线索。
作者
项兴荣
机构地区
天津中环半导体公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期52-54,共3页
Semiconductor Technology
关键词
高压硅堆
结构设计
硅堆
分类号
TN342.03 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1994年 第5期
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